设备名称： 等离子体气相沉积系统

设备型号： PECVD-2

制造商： 北京创维纳公司

启用时间： 2006年9月

管理人：张 浩

联系电话：021-56334402

PECVD技术参数;

1. 双反应室,规格 Φ400×160mm

2. 极限真空度： ５.0×10-5Pa

3. 样品台尺寸：Φ290mm

4. 沉积材料：氧化硅、氮化硅、非晶硅等

5. 沉积速率：200Å/min

6. 加热温度：≦500℃

7. 沉积均匀性：≦±5％