原子层沉积
原子层沉积
型号:TFS-200(2台,8inch),TFS-500(1台,12inch)
品牌:BENEQ
简介:原子层沉积技术(ALD)是一种将物质以单原子膜形式一层一层沉积在基底表面的一种化学气相沉积方法。其特点是自限制生长。原子层沉积优点包括高度的膜厚精准可控,大面积均匀,可低温制备,薄膜质量高,无孔不入能够很好的填充各种孔洞及缺陷。可以生长氧化铝,氧化铪,氧化锆,氧化钛,氧化锌,氧化铟,氧化镓、氮化镓、氮化铝,氮化钛以及上面的混合物等。
独特的优势使原子层沉积技术在大规模集成电路、新型能源、催化剂,储能材料等方面均有着重要的应用前景。
原子层沉积循环示意图(左),在复杂基板上沉积氧化铝微观照片(右)
实验室TFS 200 (2台),TFS 500 (1台)具备量产能力