主讲人：王建峰博士

时间：2018年1月9日下午3:50-4:30

地点：平板楼大会议室

报告人简介：

王建峰博士，2001年保送到武汉大学物理系攻读博士学位，2002年到中科院半导体研究所联合培养，从事“Si基GaN材料生长及应力研究”。 2006年毕业，获理学博士学位。在博士学位攻读期间，独立研制了原位应力测试系统，系统的研究了GaN材料在生长过程中的应力演变过程，在Appl.Phys.Lett.等杂志上发表论文数篇。2006年10月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所，主要从事氮化镓晶片的研究及产业化开发工作。