T3Ster运用先进的JEDEC静态试验方法(JESD51-1),通过改变电子器件的的输入功率,使得器件产生温度变化,在变化过程中,T3Ster测试出芯片的瞬态温度响应曲线,仅在几分钟之内即可分析得到关于该电子器件的全面的热特性,包括结温、热阻、界面热阻特性等热学参数。
1加热电压:测量范围:5~50V,不确定度:±1%;
2加热电流:测量范围:0.1~20A,不确定度:±1%;
8热阻:测量范围:0.02~1000℃/W;不确定度小于±1%。
应用范围:半导体器件、LED光电器件等热学分析、测试,具体包括:测试该器件的热阻、结温、同一封装器件不同封装材料的热阻(积分、微分曲线结构函数等)。