型号：CME-200E

购入时间：2009.11

制造厂商：ULVAC

安置地点：平板楼净化房

所在单位：新型显示技术及应用集成教育部重点实验室

联系人：张浩

联系电话：021-53664402

是否共享（是/否）：是

仪器简介：利用射频电源使SiH4、NH3、H2、N2O等气体或者混合气体在一定的条件下形成等离子体。所形成的等离子基团在灼热的固体表面发生化学反应，并在该表面上沉积，形成稳定、均匀的Si:H、SiOy:H、SiNx:H、SiNxOy:H等固态物质膜。

主要技术指标：

1设备主要由进样腔、传送腔、工艺腔体组成，带有相应完善的真空系统、射频电源、气路系统、全套软件控制系统等模块组成。

2基板尺寸200mm×200mm；

3基板加热最高温度430℃；

4薄膜厚度不均匀性：优于±5％

应用范围：

应用于沉积微晶硅薄膜、非晶硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜。

收费标准：电话联系