丁星伟 教授∣博士生导师 邮箱：xwding@shu.edu.cn
获上海市科技进步一等奖（4），上海市青年科技英才扬帆计划，山东省电子学会科学技术奖（2），第七届上海真空青年创新奖。主持国家重点研发子课题1项，国家自然科学基金面上和青年项目各1项，中国博士后科学基金1项，主持企业横向课12项。以第一/通讯作者在微电子领域权威期刊IEEE EDL, IEEE TED，APL等发表SCI论文40余篇。授权发明专利3项，实用新型专利2项。主要从事原子层沉积技术的氧化物薄膜晶体管、原子层工艺、原子层装备开发的研究工作。委托ALD技术开发的企业有法国液化空气集团、华为、华星光电、维信诺、上海钧乾智造、南大光电、中船派瑞等10余家。自主研发的ALD装备已转化并售至相关科研单位和企业超20台套。
第一负责人主持项目：
1、 国家重点研发计划“纳米前沿”专项“亚10纳米器件加工集成技术及其应用研究”子课题，2024-2029
2、 国家自然科学基金面上项目，N/H共掺InGaZnO超高迁移率薄膜晶体管的构筑及稳定性研究，2023-2026
3、 国家自然科学基金青年项目，氨浴法阴离子掺杂有源层的氧化物TFT缺陷态与稳定性研究，2019-2021
4、 企业委托，原子层沉积技术前驱体验证开发，2025-2027
5、 企业委托，低温硅基薄膜原子层沉积技术工艺开发（一期），2025
6、 企业委托，原子层沉积技术工艺开发，2023-2025
7、 企业委托，用于TFT技术的ALD前驱物评估，2017-2022
8、 企业委托，ALD腔体设计开发，2021-2022
9、企业委托，基于ALD技术的柔性薄膜封装技术开发，2016-2017
10、企业委托，华为技术服务，2022
11、上海市青年科技英才扬帆计划，基于ALD技术的柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2017-2020
12、中国博士后科学基金，柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2015-2017
近年部分代表性论文：
1. Jun Yang, Chuanxin Huang, Zhaorui Tong, Hongyu Fan, Kun Bai, Xingwei Ding*, and Jianhua Zhang，ALD-derived high-k ZrAlOx dielectrics for boosted performance of CNTs/ZTO CMOS inverter，Applied Physics Letters,127 (2025) 082901.
2. Xingwei Ding, Luoqiang Wang, Kun Bai, Jun Yang, and Jianhua Zhang，Approach to High-Performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition, IEEE Electron Device Letters, 46 (2025) 588-591.
3. Zihui Chen, Jun Yang, Xingwei Ding*, Xifeng Li, and Jianhua Zhang, High-Performance Fully Thermal ALD-Processed IGZO Thin Film Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices,71(2024) 1963-1968.
4. Chuanxin Huang, Dianguo Ma, Zhongkai Guo, Haiyun Yao, Kaikai Lv, Zhongjun Tian, Lanju Liang,Ju Gao, Yunyun Liu, and Xingwei Ding*, Enhanced Stability of SiZTO TFT Under Positive Voltage and Light Negative Voltage Stress and Modified Hysteresis of the CNTs/SiZTO CMOS Inverter by Si Doping, IEEE Transactions on Electron Devices, 70 (2023) 4213-4219.
5. Lingmei Kong, Jialong Wua, Yunguo Li, Fan Cao, Feijiu Wang*, Qianqian Wu, Piaoyang Shen,Chengxi Zhang, Yun Luo, Lin Wang, Lyudmila Turyanska, Xingwei Ding*, Jianhua Zhang,Yongbiao Zhao, Xuyong Yang*, Light-emitting field-effect transistors with EQE over 20% enabled by a dielectric-quantum dots-dielectric sandwich structure, Science Bulletin, 67 (2022) 529–536.
6. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Bowen Che, Jun Yang, Jianhua Zhang, Xingwei Ding*, A New “Ammonia Bath” Method for Realizing Nitrogen Doping in ZnSnO Transistors, IEEE Electron Device Letters, 41 (2020) 389-392.
7. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Jun Yang, Xingwei Ding*, and Jianhua Zhang, Solution-Processed Yttrium-Doped IZTO Semiconductors for High-Stability Thin Film Transistor Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 5170-5176.
8. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Qianqian Wu, Christian Dussarrat, Jie Qi, Wenqing Zhu, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, High-Performance 1-V ZnO Thin-Film Transistors With Ultrathin, ALD Processed ZrO2 Gate Dielectric, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 3382-3386.
9. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Cunping Qin, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, Enhanced Stability in Zr-Doped ZnO TFTs With Minor Influence on Mobility by Atomic Layer Deposition, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 1760-1765.
10. Xingwei Ding, Jun Yang, Cunping Qin, Xuyong Yang, Tao Ding, and Jianhua Zhang, Nitrogen-Doped ZnO Film Fabricated Via Rapid Low-Temperature Atomic Layer Deposition for High-Performance ZnON Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 3283-3290.
部分代表性专利：
1.一种原子层沉积设备，实用新型专利，张建华，丁星伟 ZL 202320778330.8
2.一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法，发明专利，丁星伟，李春亚，魏斌 ZL 201810800442.2
3.一种基于ALD技术制备氧化锌薄膜的装置及方法，发明专利，丁星伟，李春亚，张建华 ZL 202010348365.9
