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背景介绍：
丁星伟博士，副研究员，获上海市青年科技英才扬帆计划，上海市科技进步一等奖（4），第七届上海真空青年创新奖。主持国家自然科学基金面上和青年项目各1项，主持中国博士后科学基金1项，主持企业横向课12项，参与国家重点研发计划1项。以第一/通讯作者在微电子领域权威期刊IEEE EDL, IEEE TED，Science Bulletin等发表SCI论文40余篇。授权发明专利3项，实用新型专利2项。主要从事原子层沉积技术的氧化物薄膜晶体管、原子层工艺、原子层装备开发的研究工作。委托ALD技术开发的企业有法国液化空气集团、华为、华星光电、维信诺、上海钧乾智能、南大光电等10余家。自主研发的ALD装备已转化并售至相关科研单位和企业。
部分代表性项目：
1、 国家重点研发计划“纳米前沿”专项“亚10纳米器件加工集成技术及其应用研究”，2024-2029，96万，在研，骨干参与
2、 国家自然科学基金面上项目，N/H共掺InGaZnO超高迁移率薄膜晶体管的构筑及稳定性研究，2023-2026，63万，在研，主持
3、 国家自然科学基金青年项目，氨浴法阴离子掺杂有源层的氧化物TFT缺陷态与稳定性研究，2019-2021，25万，结题，主持
4、 企业委托，原子层沉积技术工艺开发，2023-2025，200万，在研，主持
5、 企业委托，用于TFT技术的ALD前驱物评估，2022-2023，52万，结题，主持
6、 企业委托，ALD腔体设计开发，2021-2022，30万，结题，主持
7、 企业委托，用于显示器制造工艺开发的先驱物的评估，2017-2023，120万，结题，主持
8、 企业委托，微纳米尺度薄膜ALD技术服务，2022，20万，结题，主持
9、企业委托课题，基于ALD技术的柔性薄膜封装技术开发，2016-2017，50万，结题，主持
10、上海市青年科技英才扬帆计划，基于ALD技术的柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2017-2020，20万，结题，主持
11、中国博士后科学基金，用于AM-OLED驱动的柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2015-2017，8万，结题，主持
近年部分代表性论文：
1. Zihui Chen, Jun Yang, Xingwei Ding*, Xifeng Li, and Jianhua Zhang, High-Performance Fully Thermal ALD-Processed IGZO Thin Film Transistors, Transactions on Electron Devices,71(2024) 1963-1968.
2. Chuanxin Huang, Dianguo Ma, Zhongkai Guo, Haiyun Yao, Kaikai Lv, Zhongjun Tian, Lanju Liang,Ju Gao, Yunyun Liu, and Xingwei Ding*, Enhanced Stability of SiZTO TFT Under Positive Voltage and Light Negative Voltage Stress and Modified Hysteresis of the CNTs/SiZTO CMOS Inverter by Si Doping, IEEE Transactions on Electron Devices. 70 (2023)4213-4219.
3. Lingmei Kong, Jialong Wua, Yunguo Li, Fan Cao, Feijiu Wang*, Qianqian Wu, Piaoyang Shen,Chengxi Zhang, Yun Luo, Lin Wang, Lyudmila Turyanska, Xingwei Ding*, Jianhua Zhang,Yongbiao Zhao, Xuyong Yang*, Light-emitting field-effect transistors with EQE over 20% enabled by a dielectric-quantum dots-dielectric sandwich structure, Science Bulletin, 67 (2022) 529–536.
4. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Bowen Che, Jun Yang, Jianhua Zhang, Xingwei Ding*, A New “Ammonia Bath” Method for Realizing Nitrogen Doping in ZnSnO Transistors, IEEE Electron Device Letters, (2020).
5. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Jun Yang, Xingwei Ding*, and Jianhua Zhang, Solution-Processed Yttrium-Doped IZTO Semiconductors for High-Stability Thin Film Transistor Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 5170-5176.
6. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Qianqian Wu, Christian Dussarrat, Jie Qi, Wenqing Zhu, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, High-Performance 1-V ZnO Thin-Film Transistors With Ultrathin, ALD Processed ZrO2 Gate Dielectric, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 3382-3386.
7. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Cunping Qin, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, Enhanced Stability in Zr-Doped ZnO TFTs With Minor Influence on Mobility by Atomic Layer Deposition, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 1760-1765.
8. Xingwei Ding, Jun Yang, Cunping Qin, Xuyong Yang, Tao Ding, and Jianhua Zhang, Nitrogen-Doped ZnO Film Fabricated Via Rapid Low-Temperature Atomic Layer Deposition for High-Performance ZnON Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 3283-3290.
部分代表性专利：
1.一种原子层沉积设备，实用新型专利，张建华，丁星伟 ZL202320778330.8
2.一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法，发明专利， 丁星伟，李春亚，魏斌 ZL 2018 1 0800442.2
3.一种基于ALD技术制备氧化锌薄膜的装置及方法，发明专利，丁星伟，李春亚，张建华 ZL 2020 1 0348365.9
