博士，副研究员

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背景介绍：

丁星伟，副研究员，博士毕业于上海大学材料学院，后进入上海大学新型显示教育部重点实验室从事博士后研究，留校工作至今。获上海市青年科技英才扬帆计划，上海市科技进步一等奖（排4）。主持国家自然科学基金面上和青年项目各1项，主持中国博士后科学基金1项，主持企业横向课6项，作为技术骨干完成企业横向课题3项。发表SCI论文30余篇，其中以第一或者通讯作者发表在微电子领域权威期刊IEEE EDL（1篇）, IEEE TED（4篇），IEEE JEDS（2篇），在TOP 期刊Science Bulletin，JMCC，Ceramics International，Applied Surface Science发表4篇。授权发明专利2项，实用新型专利1项。主要从事原子层沉积技术的氧化物薄膜晶体管、原子层工艺开发、原子层装备开发的研究工作。

第一负责人主持项目：

1、 国家自然科学基金面上项目，N/H共掺InGaZnO超高迁移率薄膜晶体管的构筑及稳定性研究，2023-2026，在研，主持

2、 国家自然科学基金青年项目，氨浴法阴离子掺杂有源层的氧化物TFT缺陷态与稳定性研究，2019-2021，结题，主持

3、 华为技术服务，2022，结题，主持

4、 企业委托，用于TFT技术的ALD前驱物评估，2022-2023，在研，主持

5、 企业委托，ALD腔体设计开发，2021-2022，结题，主持

6、 企业委托，用于显示器制造工艺开发的先驱物的评估，2017-2023，在研，主持

7、 企业委托，微纳米尺度薄膜ALD技术服务，2022，在研，主持

8、 上海市青年科技英才扬帆计划，基于ALD技术的柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2017-2020，结题，主持

9、 企业委托课题，基于ALD技术的柔性薄膜封装技术开发，2016-2017，结题，主持

10、中国博士后科学基金，用于AM-OLED驱动的柔性薄膜晶体管的构筑与稳定性研究，2015-2017，结题，主持

代表性论文：

1. Lingmei Kong, Jialong Wua, Yunguo Li, Fan Cao, Feijiu Wang*, Qianqian Wu, Piaoyang Shen,Chengxi Zhang, Yun Luo, Lin Wang, Lyudmila Turyanska, Xingwei Ding*, Jianhua Zhang,Yongbiao Zhao, Xuyong Yang*, Light-emitting field-effect transistors with EQE over 20% enabled by a dielectric-quantum dots-dielectric sandwich structure, Science Bulletin, 67 (2022) 529–536.

2. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Bowen Che, Jun Yang, Jianhua Zhang, Xingwei Ding*, A New “Ammonia Bath” Method for Realizing Nitrogen Doping in ZnSnO Transistors, IEEE Electron Device Letters, (2020).

3. Jialong Wu, Jun Yang, Xuyong Yang, Xingwei Ding*, Low-Voltage Hf-ZnO Thin Film Transistors With Ag Nanowires Gate Electrode and Their Application in Logic Circuit, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 8 (2020).

4. Yongpeng Zhang, Hao Zhang, Jun Yang, Xingwei Ding*, and Jianhua Zhang, Solution-Processed Yttrium-Doped IZTO Semiconductors for High-Stability Thin Film Transistor Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 5170-5176.

5. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Qianqian Wu, Christian Dussarrat, Jie Qi, Wenqing Zhu, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, High-Performance 1-V ZnO Thin-Film Transistors With Ultrathin, ALD Processed ZrO2 Gate Dielectric, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 3382-3386.

6. Jun Yang, Yongpeng Zhang, Cunping Qin, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, Enhanced Stability in Zr-Doped ZnO TFTs With Minor Influence on Mobility by Atomic Layer Deposition, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (2019) 1760-1765.

7. Jun Yang, Bowen Wang, Yongpeng Zhang, Xingwei Ding* and Jianhua Zhang*, Low-temperature combustion synthesis and UV treatment processed p-type Li:NiOx active semiconductors for high-performance electronics, Journal of Materials Chemistry C, 6 (2018) 12584-12591.

8. Xingwei Ding, Jun Yang, Cunping Qin, Xuyong Yang, Tao Ding, and Jianhua Zhang, Nitrogen-Doped ZnO Film Fabricated Via Rapid Low-Temperature Atomic Layer Deposition for High-Performance ZnON Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 3283-3290.

9. Xingwei Ding, Fei Huang, Sheng Li, Jianhua Zhang, Xueyin Jiang, Zhilin Zhang, Effect of O2 plasma treatment on density-of-states in a-IGZO thin film transistors, Electronic Materials Letters, 13 (2017) 45-50.

10. Xingwei Ding, Cunping Qin, Jiantao Song, Jianhua Zhang, Xueyin Jiang, Zhilin Zhang, The Influence of Hafnium Doping on Density of States in Zinc Oxide Thin-FilmTransistors Deposited via Atomic Layer Deposition, Nanoscale Research Letters, 12 (2017) 63.

11. Jianhua Zhang, Xingwei Ding（共同一作）, Jun Li, Hao Zhang, Xueyin Jiang, Zhilin Zhang, Performance enhancement in InZnO thin-film transistors with compounded ZrO2–Al2O3 nanolaminateas gate insulators, Ceramics International, 42 (2016) 8115–8119.

12. Xingwei Ding, Jinliang Yan, Ting Li, Liying Zhang, Transparent conductive ITO/Cu/ITO films prepared on flexible substrates at room temperature, Applied Surface Science 258 (2012) 3082-3085.

授权专利：

1. 一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法，发明专利， 丁星伟，李春亚，魏斌 2019年8月9日 ZL 2018 1 0800442.2

2. 一种基于ALD技术制备氧化锌薄膜的装置及方法，发明专利，丁星伟，李春亚，张建华 2021.03.23 ZL 2020 1 0348365.9