报告人：张紫辉，河北工业大学教授
报告时间：2015年12月7日 上午10：30-11:30
报告地点：上海大学延长校区平板楼2楼会议室。
报告内容：
半导体固态照明技术的飞速发展在一定程度上缓解了当前世界能源紧张的问题，而作为半导体照明技术的核心，GaN基半导体发光二极管(LED)的载流子注入效率较低，严重制约器件内量子效率的提高，在本次报告中，我们分析载流子注入的物理学机制，通过外延生长和器件设计提高电子和空穴的注入效率，从而改善器件的内量子效率。
报告人简介：
张紫辉博士于2015年1月毕业于新加坡南洋理工大学并获得博士学位，目前担任河北工业大学电子信息工程学院、电子材料与器件天津市重点实验室教授、硕士生导师。张博士的主要研究方向包括III-V族氮化物半导体发光二极管MOCVD技术的外延生长、材料表征、缺陷控制、器件工艺和器件物理等。近三年内，张博士已在Applied Physics Letters, IEEE, Optics Express, Optics Letters, ACS Photonics, Nano Energy等领域内高端杂志公开发表了近30篇高水平论文，申请了5项国际专利技术，并多次作为特邀嘉宾参加相关学术会议。在GaN基光电器件领域内，张博士首次提出了极化自屏蔽、极化冷却、空穴加速器和空穴调节器等新颖的物理概念和器件结构，这对于深层次地理解半导体光电器件具有着重要意义，同时为新型光电器件的设计提供了新思路。此外，张博士首次在实验上实现了利用三维空穴气驱动的GaN基发光二极管。张博士的研究工作多次被英国《今日半导体-Semiconductor Today》杂志做专题报道：如他提出的压制Auger复合的新型量子阱结构、空穴加速器。他首次提出的利用三维空穴气驱动的氮化镓半导体发光二极管被Applied Physics Letters列为亮点文章并作专题报道。张博士是中国国家留学基金委颁发的2014年度国家优秀自费留学生奖获得者。目前张博士承担国家自然科学基金1项。
