时间：2013年10月9日10：00
地点：上海大学延长校区平板楼会议室
议程：
◆ 10：00－11：30
学术报告“InGaZnO 薄膜晶體館顯示屏技術研發”－ 張鼎張教授
◆ 11：30－12：00 讨论
◆ 12：00－13：30 午餐（乐乎楼）
◆ 13：30 实验室参观
讲座摘要：
金
属氧化物半导体
(InGaZnO)
为目前最具发展潜
力
的薄膜晶体管
(TFT)
主动层材
料
，兼具非晶硅
(a-Si)
材
料
的高均匀性以及低温多晶硅
(poly-Si)
材
料
的高载流子迁移
率
之优点，并拥有低温成长以及高可
見
光穿透
率
等物
理
特性，极有机会取代非晶硅与多晶硅成为下世代的薄膜晶体管材
料
，应用在主动式有机发光二极管显示器
(AM-OLED)
与液晶显示器
(AM-LCD)
。因此，受到国际大厂、学术以及研究单位的重视，纷纷投入
IGZO
的研究与开发。本人研究范畴内容包含
: (
Ⅰ
)
金
属氧化物薄膜晶体管之组件制作、
(
Ⅱ
)
金
属氧化物薄膜晶体管其
不
稳定性及
劣
化之物
理
机制探讨、
(
Ⅲ
)
金
属氧化物薄膜晶体管之改善方式与可靠
度
研究。藉由组件物
理
机制的厘清，研发前瞻氧化物薄膜晶体管组件，解决可靠
度
的问题，将氧化物薄膜晶体管组件应用在平面显示器上。目前本实验室与台湾友达光电公司、群创光电公司有数项产学合作项目进行，产学项目名称如下
:
1.
友达光电公司
(AUO) -
『应用于有机发光显示器之金属氧化物薄膜晶体管
(InGaZnO-TFT)
电性机制研究与前瞻制程技术开发』
2.
友达光电公司
(AUO) -
『金属氧化物薄膜晶体管
(IGZO-TFT)
铜制程技术开发』
